EL esquema que nos ha dejado chandra es bastante sencillito y claro en su diseño pero lo que no tenemos mucha práctica en tecnología mos (a nivel practico porque teorico los informáticos ...) no sabemos que integrado usar.

Si alguien es tan amable de ponerle "nombre" a los componentes de esquemático .... Tan poco me queda muy claro donde iría ese diodo del que hablas, en el terminal de puerta?

Bueno pos nada más, muchas gracias

pasate el esquematico y lo bautizaremos 😉

edito: vaya pense q era un esquematico nuevo para la sylamp y se me a io la pelota xD

Hola,

El transistor que pongais ya va en funcion de lo que tenga que soportar el cacharro y los voltajes con los que lo vayas a controlar. Para verlo, hagamos un ejemplo sencillo...

En primer lugar, vamos a la pagina de un fabricante de transistores, por ejemplo IRF. Ahora le damos a "Parametric search" en el menu de "Product Line". Nos sale una pagina con todos los productos del fabricante. Nosotros queremos un MOSFET de potencia de canal N, asi que le pegamos un click donde pone "N-Channel" en "Discrete HEXFET Power MOSFET".

Ahi ya nos sale una tabla con un monton de datos que tenemos que rellenar hasta que nos acerquemos a un producto que nos pueda valer. En primer lugar pensamos el encapsulado, por ejemplo el TO220 AB (el de tres terminales, con disipador y agujero para atornillar). Si queremos varios modelos, le damos al boton de "Multi-Select" y marcamos los que queramos, por ejemplo TO220AB y D2PAK (SMD de potencia) y luego le damos a "Filter Results". Veremos como en la tabla de abajo aparecen solo transistores con estos encapsulados.

Ahora tenemos que ver que intensidad tienen que soportar. Si por ejemplo vamos a controlar un motor que necesite 5 Amperios, deberemos utilizar un transistor que soporte como poco 10 A (porque los valores de seleccion son los maximos). Asi que vamos a la columna de ID @ 100C (Intensidad de Drenador a 100ºC) y marcamos la opcion de 10. ¿Por que a 100ºC y no a 25ºC? Porque cuando un MOSFET se calienta, conduce menos. Si la intensidad es demasiado baja, en el motor no caera toda la tension de alimentacion, repartiendose esta entre el motor y el MOSFET. Asi por ejemplo si el motor consume 5 Amperios alimentado a 10 Voltios, y el MOSFET solo deja circular 4 Amperios por estar caliente, el motor tendra una caida de tension de solo 8 voltios (es un ejemplo), siendo la caida en el MOSFET de 2 voltios (alimentacion - caida en el motor), que multiplicados por los 4 amperios seran 8W. Si hemos diseñado el disipador del MOSFET para que disipe 6W, la temperatura seguira subiendo (ademas exponencialmente) y al final se quemara.

Ahora nos quedan solo unos pocos transitores en la tabla. Utilizamos por ejemplo el IRF530 (el ultimo) que tiene una tension de ruptura de 100V (mas que suficiente para nuestra aplicacion). Ademas nos interesa que la RDS sea lo menor posible (aunque con matices). Pinchamos en el nombre y nos llevara a su pagina de caracteristicas. De ahi nos bajamos el datasheet.

En el datasheet comprobamos que trae un diodo de proteccion integrado, y soporta una intensidad de drenador continua de 10A a 100ºC, con una intensidad de pulso de 56A (¿os parece mucho? Pues este es un MOSFET mas bien normalito). En las graficas del datasheet, observamos que para conducir 5A, necesita al menos una tension de puerta de 5,5V y en este caso la caida de tension en el MOSFET es de aproximadamente 1V. Ademas eso es a 25ºC, porque a 175ºC la caida son 2V. Por tanto tendremos que utilizar una tension de control de puerta de unos 7 u 8 voltios para garantizar la conduccion. Con una tension de puerta de 7V, a 25ºC hay una caida de 0.6V en el MOSFET, y una intensidad de 5A, lo cual no da mayores problemas que tener que disipar 3W (redondead siempre al alza). Sin embargo hay que tener en cuenta que a 175ºC la caida de tension en el transistor en las mismas condiciones sera de 1.5V, por lo que la disipacion sera de unos 10W.

Por tanto, ya estamos en condiciones de utilizar este transistor para nuestro motor de 5A. Hay que mencionar que la caida en el transisor debe mantenerse en margen de forma proporcional a la caida del motor, asi para un motor de 10V, la caida en el MOSFET debe ser menor de 1V, mientras que con uno de 6V, la caida debe ser menor de 0.6V. No hay una regla fija, todo depende de los margenes de trabajo del motor y el MOSFET, pero en general es buena idea mantenerlo por debajo del 10%, y siempre lo mas bajo posible.

Asi pues, garantizando que la tension de control de la puerta del transistor va a ser siempre superior a 7V (si el motor se alimenta a 10V, podemos utilizar esta tension como tension de control con ayuda de un BJT o un operacional), teniendo en cuenta que la tension de puerta no puede superar los 20V (ver el datasheet) y añadiendo un sistema de disipacion capaz de soportar 15W (tirando por lo alto, una aleta de alumnio grandecita nos servira) ya tendremos el transistor listo para controlar el motorcillo.

Señalar que el diseño este ha sido rapido y se pueden ajustar mucho mejor las cuentas (incluso se pueden buscar transistores mejores) y optimizar el tamaño del disipador, pero como ejemplo creo que es suficiente.

El resumen de todo esto es que para motores de entre 6 y 15 voltios y menos de 5A, el IRF530, usando como tension de control de puerta la de alimentacion del motor, puede valer para la aplicacion.

Un saludo

😮 buen manual de eleccion de transistores chandra,

Es perfecto! ¿pero el irf530 tiene complementario? (si es para un motor lo ams normal es montar un puente H)